Постановлением Президиума СО РАН от 26.01.2005 г. № 26 КТИ ПМ СО РАН реорганизован в Новосибирский филиал Института физики полупроводников СО РАН «КТИПМ».
Постановлением Президиума СО РАН от 25.07.2008 г. №469 Новосибирский филиал Института физики полупроводников СО РАН «Конструкторско-технологический институт прикладной микроэлектроники» переименован в Новосибирский филиал Учреждения Российской академии наук Института физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения РАН «Конструкторско-технологический институт прикладной микроэлектроники».
Постановлением Президиума РАН от 13.12.2011 г. №262 Новосибирский филиал Учреждения Российской академии наук Института физики полупроводников им. А.В. Ржанова сибирского отделения РАН «Конструкторско-технологический институт прикладной микроэлектроники» переименован в Новосибирский филиал Федерального государственного бюджетного учреждения науки Института физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения РАН «Конструкторско-технологический институт прикладной микроэлектроники» (Филиал ИФП СО РАН «КТИПМ»).
