Фоточувствительная гетероэпитаксиальная (ГЭС) теллурида кадмия-ртути (КРТ) структура КРТ на подложках из арсенида галлия (GaAs)  выращенная методом молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ). Инновационная конструкция фоточувствительных структур на основе ГЭС КРТ МЛЭ. Патент RU75505U1 «Фотодиодная структура для приемника инфракрасного излучения» ТУ 1778-003-03533808-2003 «Структуры гетероэпитаксиальные теллурида кадмия-ртути, выращенные методом молекулярно-лучевой эпитаксии». ТУ 1778-004-03533808-2005 «Структуры гетероэпитаксиальные теллурида кадмия-ртути, выращенные методом молекулярно-лучевой эпитаксии». ТУ 1778-008-03533808-2008 «Наногетероэпитаксиальные структуры кадмий-ртуть-теллур (НГЭС КРТ МЛЭ)». ТУ 1778-012-03533808-2014 «Структуры гетероэпитаксиальные теллурида-кадмия-ртути электронного типа проводимости, выращенные методом молекулярно-лучевой эпитаксии»